[九师联盟]2023~2024学年高三核心模拟卷(中)(四)4理科综合试题,目前2024-2025英语周报圈已经汇总了[九师联盟]2023~2024学年高三核心模拟卷(中)(四)4理科综合试题的各科答案和试卷,获取更多{{papers_name}}答案解析,请在关注本站。
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(四)4理科综合试题)
23.(10分)某同学用如图甲所示的实验电路,测量一量程为0~1mA的电流计的内阻。两磁场的分界线Ⅱ过M点且与基底垂直。已知飞,-×10v,E=号x10/m,B=1×102T,金属离子比荷-2.0×10°C/kg,两种离子均带正电,忽略离子的重力和离子间的相互作用。m2()求盆离子比荷器(2)求A、M两点间的水平距离:(1)按图甲的实验电路图进行实物连接,将滑动变阻器的滑片置于B端,R,为定值电阻。闭合开关S,断开开关S,调节滑动变阻器滑片的位置,使电压表的读数为U,(指针偏转超过量程的三分(3)若金属离子进人磁场的速度大小均为1.0×10m/,M点到基底的距离为2m,求在纸面内。之一),电流计满偏。基底上可被金属离子打中而镀膜的区域长度。(2)闭合开关$1,反复调节电阻箱和滑动变阻器的滑片位置使电压表的示数仍为U1,电流计的指离子源针偏转到量程的三分之二。此时电阻箱的读数为R。=190Q。(3)电流计的内阻R。=9o(4)该实验测得电流计的阻值真实值(填“>”“<”或“=”)(只考虑系统误差)。靶材(5)该实验中电阻R,的作用是(6)该同学要将该电流计改装为量程为0~20m4的电流表。将阻值为R2的定值电阻与电流计连接,然后利用一标准毫安表根据图乙所示电路对改装后的电表进行检测(虚线框内是改装后的电表)。电阻箱标准毫安表丙①根据图乙连接图丙中的实物图。②定值电阻R2=2。25.(20分)为了解决航空公司装卸货物时因抛掷而造成物品损坏的问题,一位同学设计了如图所示24.(12分)2021年6月,我国芯片进口总额达到380亿美元,这是为了满足智能手机、汽车、电脑、家的缓冲转运装置,卸货时飞机不动,缓冲装置A紧靠飞机,转运车B紧靠A。包裹C沿缓冲装置A用电器等相关产业的巨大需求。物理气相沉积是在真空条件下,通过低压气体或等离子体,将采的光滑曲面由静止滑下,经粗糙的水平部分,滑上转运车B并最终停在转运车B上被运走,B的用物理方法变为气态的材料沉积到基体表面形成薄膜的技术。该技术是芯片制作的关键环节之右端有一固定挡板。已知C与A水平部分和与B间的动摩擦因数均为41=0.2,缓冲装置A与水一,如图是该技术的原理简图。初速度为零的氩离子经电压为U。的电场加速后,从A点以大小平地面间的动摩擦因数为山2=0.1,转运车B与地面间的摩擦可忽略。A、B的质量均为M=为=10°m/s、方向水平向右的速度进入竖直向下、电场强度大小为E的匀强电场中,恰好打到40kg,A水平部分、B上表面的长度均为L=4m。包裹C可视为质点且无其他包裹影响,重力加电场、磁场的竖直分界线I最下方的M点(未进人磁场)并被位于该处的金属靶材全部吸收,A、速度g取10/s2。C与B的右挡板发生碰撞的时间极短,碰撞损失的机械能可忽略,最大静摩M两点的高度差为0.5m。靶材溅射出的部分金属离子沿各个方向进人两匀强磁场区域,并沉积擦力等于滑动摩擦力。在固定基底上。基底与水平方向夹角为45°,磁感应强度大小均为B、方向相反(均垂直纸面)的(1)要求包裹C在缓冲装置A上运动时A不动,则包裹C的质量最大不超过多少;理科综合预测卷(三)第7页(共16页)理科综合预测卷(三)第8页(共16页)理综
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